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MGSF1N02LT1G 分立半导体产品 晶体管 - FET MOSFET

  • MGSF1N02LT1G请询价2021-12-27 05:03
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深圳市恒科翔业电子有限公司

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    6

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  • 经营品牌:ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
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  • 在线联系:Email:SZHKXYDZ@QQ.COM
  • 联系电话:0755-83238360
  • 电子邮件:SZHKXYDZ@QQ.COM
  • 手  机:13603072128
  • 地  址:华强北路新华强广场B座27D
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MGSF1N02LT1G数据手册
MGSF1N02LT1G参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
750 mA
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6000 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
MGSF1N02L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
单位重量
8 mg
商品详情

制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
MGSF1N02LT1G
描述
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-750mA(Ta)-400mW(Ta)-SOT-23-3(TO-236)
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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