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2N6045G
规格信息:

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:8 A

最大集电极截止电流:20 uA

Pd-功率耗散:75 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N6045

封装:Tube

直流电流增益 hFE 最大值:20000

高度:15.75 mm

长度:10.53 mm

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

单位重量:6 g

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号第一页预览产品购买
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